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EPC는 공간이 제한적인 고성능 애플리케이션을 위해 실리콘 MOSFET 보다 훨씬 작고 효율적인 디바이스인 100V, 2.2mΩ EPC2071 GaN FET를 출시했다. 

인핸스먼트 모드 질화갈륨(eGaN) 기반 전력 FET 및 IC 분야의 세계적인 선도기업인 EPC(Efficient Power Conversion Corporation)는 EPC2071(평균 1.7mΩ, 100V) GaN FET를 출시하고, 저전압, 상용 질화갈륨 트랜지스터 제품군을 확장했다고 밝혔다.

EPC2071은 새로운 서버 및 AI를 위한 48V -54V 입력 DC-DC를 비롯해 까다로운 높은 전력밀도의 성능 요건을 필요로 하는 애플리케이션에 매우 적합하다. 이 디바이스는 최첨단 전력밀도를 위한 10.2mm²의 매우 작은 풋프린트에서 낮은 게이트 전하 및 Q_GD와 제로 역 회복 손실을 통해 1MHz 이상의 고주파수 동작 및 고효율을 지원한다. 

EPC2071은 전기자전거와 전기스쿠터, 로봇, 드론 및 전동공구를 비롯해 BLDC 모터 드라이브에 매우 적합하다. EPC2071은 동일한 R_DS(on)의 실리콘 MOSFET에 비해 크기가 3분의 1에 불과하며, QG는 MOSFET의 4분의 1 수준이다. 또한 데드타임을 500ns에서 20ns로 줄일 수 있어 모터와 인버터 효율을 최적화하고, 음향 잡음을 낮출 수 있다. 

EPC2071은 EPC의 이전 4세대 제품군인 EPC2021, EPC2022, EPC2206과 풋프린트 호환이 가능하다. 면적 x R_DS(on)을 개선한 5세대 제품인 EPC2071은 이전 세대 보다 26% 더 작은 크기로 동일한 온저항을 제공한다. 

EPC의 공동창립자이자 CEO인 알렉스 리도우(Alex Lidow)는 “EPC2071은 40V - 60V에서 12V - 5V의 LLC DC-DC 컨버터의 1차측에 이상적인 스위치이다. 이 100V 디바이스는 이전 세대의 100V GaN FET에 비해 성능 및 비용을 개선함으로써 설계자들은 효율성과 전력밀도를 경제적으로 향상시킬 수 있다.”며, “이러한 부품은 통신 및 서버의 전원공급장치와 태양광 애플리케이션에도 적합하다. 또한 EPC2071은 유사한 실리콘 디바이스는 물론, 재고보다 더욱 저렴하다!”고 밝혔다.

레퍼런스 디자인

EPC9174 레퍼런스 디자인 보드는 48V 입력에서 12V 출력을 제공하는 1.2kW LLC 컨버터이다. 이 보드는 1차측 풀 브리지를 위해 EPC2071을 갖추고 있다. EPC2071은 22.9mm x 58.4mm x 10mm의 작은 크기(전력밀도 1472W/in³)로 1.2kW의 전력과 1MHz의 스위칭 주파수를 지원한다. 최고 효율은 550W에서 97.3%이고, 전체 부하 효율은 12V에서 96.3%이며, 100A의 출력을 제공한다.