ST마이크로일렉트로닉스(STMicroelectronics, 이하 ST)가 STPOWER MDmesh M9 및 DM9 N-채널 슈퍼정션(Super-Junction) 멀티-드레인 실리콘 전력 MOSFET을 출시했다. 이 디바이스는 데이터센터 서버와 5G 인프라에서 평면패널 TV까지 다양한 애플리케이션의 스위칭 모드 전원공급장치(SMPS: Switched-Mode Power Supply)에 매우 적합하다.
가장 먼저 출시된 디바이스는 650V STP65N045M9 및 600V STP60N043DM9이다. 두 디바이스 모두 단위면적당 매우 낮은 온저항(RDS(on))을 갖춰 전력밀도를 극대화하고 시스템 크기를 소형화 할 수 있다. 최대 RDS(on)(RDS(on)max)으로 STP65N045M9은45mΩ, STP60N043DM9의 경우 43mΩ으로 최적의 값을 가지고 있다.
이 디바이스들은 일반적으로 400V 드레인 전압에서 80nC의 매우 낮은 게이트 전하(Qg)를 사용하므로 현재 이용 가능한 최상의 RDS(on)max x Qg 성능지수(FoM: Figure of Merit)를 갖추고 있다.
게이트 임계전압(VGS(th))은 일반적으로 STP65N045M9의 경우 3.7V, STP60N043DM9의 경우 4.0V이며, 이전 MDmesh M5 및 M6/DM6에 비해 모두 턴온 및 턴오프 스위칭 손실을 최소화한다. MDmesh M9 및 DM9 시리즈는 매우 낮은 역회복 전하(Qrr)와 역회복 시간(trr)도 갖춰 효율성 및 스위칭 성능을 한층 더 향상시켜준다.
ST의 최신 고전압 MDmesh 기술의 또 다른 기능은 본질적으로 빠른 바디 다이오드를 보장하는 추가적인 백금 확산 공정(Platinum Diffusion Process)이다. 이전 공정에 비해 피크 다이오드 역회복 슬로프(dv/dt)가 훨씬 뛰어나다. MDmesh DM9 기술에 속하는 디바이스 모두 매우 견고하며, 400V에서 최대 120V/ns까지 dv/dt를 견딜 수 있다.
ST의 새로운 MDmesh M9 및 DM9 디바이스인 STP65N045M9와 STP60N043DM9는 모두 TO-220패키지로 이미 생산 중이며, 2022년 2분기말까지 유통업체를 통해 공급된다. 가격은 STP65N045M9의 경우 1,000개 구매 시 6.3달러이다. 표준 표면실장 및 스루홀(Through-Hole) 패키지 옵션은 2022년 하반기에 추가될 예정이다.
자세한 정보는 www.st.com/mdmesh-m9 및 www.st.com/mdmesh-dm9 에서 확인할 수 있다.
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AMD, 4G/5G 무선 액세스 네트워크 솔루션으로 메타 커넥티비티의 이븐스타 프로그램 지원최근 인터넷 연결에 대한 수요가 급속도로 증가함에 따라, 이를 지원하는 인프라 개선의 필요성 또한 높아지고 있다. 메타 커넥티비티(Meta Connectivity)가 주도하는 이븐스타 프로그램은 4G/5G 네트워크를 위한 통신 사업자와 기술 파트너들 간의 공동 이니셔티브다. 오픈 RAN(Open Radio Access Network) 생태계를 기반으로 높은 효율성과 메타버스 지원 능력 등을 갖춘 적응형 무선 접속망(RAN)의 레퍼런스 디자인 구축을 목표로 한다.
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인피니언, 뛰어난 측정 성능과 배터리 수명을 극대화하는 배터리 관리 IC 출시탁월한 측정 성능과 높은 애플리케이션 견고성을 결합한 TLE9012DQU와 TLE9015DQU는 배터리 모듈, cell-to-pack, cell-to-car 배터리 토폴로지를 위한 경쟁력 있는 시스템 레벨 솔루션이다. 이들 제품은 MHEV, HEV, PHEV, BEV 및 다양한 산업용, 컨슈머 애플리케이션에 적합하며, 에너지 저장 시스템, 이륜 및 삼륜 전기차 배터리 관리 시스템에도 사용할 수 있다.
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