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EPC(Efficient Power Conversion)는 초저 온저항 및 초소형 풋프린트를 자랑하는 200V 디바이스를 출시하고, 중요한 우주환경 및 고신뢰성 환경의 전력변환 솔루션을 위해 방사선 경화(Radiation-Hardened) GaN(Gallium Nitride) 제품군을 확장했다. 

EPC는 방사선 경화(Radiation-Hardened) GaN FET인 EPC7007을 출시했다고 밝혔다. EPC7007은 200V, 25mΩ, 80A_Pulsed, 방사선 경화 GaN FET로 소형의 5.76mm² 풋프린트로 제공된다. EPC7007은 1Mrad 보다 뛰어난 총 선량 등급과 85MeV/(mg/cm²)의 LET에 대한 SEE 내성을 갖추고 있다. 이러한 디바이스는 상용 eGaN FET 및 IC 제품군과 동일한 칩 스케일 패키지로 제공된다. 패키지 버전은 EPC Space에서 확인할 수 있다.

유사한 R_DSon을 가진 방사선 경화 실리콘 디바이스에 비해 EPC7007은 40배 더 작은 Q_G 및 Q_GD와 제로 역 회복(Q_RR)을 제공하며, 크기 또한 40배 더 작다. GaN 기반 전력 디바이스는 더 높은 절연파괴강도와 더 낮은 게이트 전하 및 스위칭 손실, 더 뛰어난 열 전도성 및 매우 낮은 온저항으로 중요한 우주 임무에서 실리콘 기반 디바이스 보다 훨씬 뛰어난 성능을 제공하며, 더 높은 스위칭 주파수를 가능하게 함으로써 높은 전력밀도와 효율성, 더 작고 가벼운 회로를 구현할 수 있다. 또한 GaN 디바이스는 실리콘 디바이스 보다 높은 총 방사선 레벨과 SEE LET 레벨을 지원한다.

신속하게 구축이 가능하고 높은 성능을 제공하는 EPC7007의 이점은 우주 애플리케이션과 위성 및 항공전자 분야의 DC-DC 전원, 모터 드라이브, 라이다, 딥 프로브 및 이온 추진엔진 등에 혜택을 제공할 수 있다. 

EPC의 공동설립자 겸 CEO인 알렉스 리도우(Alex Lidow)는 “EPC의 GaN 기술은 전례 없는 높은 주파수와 높은 효율성 및 높은 전력밀도를 제공함으로써 우주 애플리케이션을 위한 차세대 전력 변환 및 모터 드라이브를 가능하게 한다.”며, “EPC7007은 동급 최상의 실리콘 방사선 경화 디바이스 보다 50배 더 뛰어난 성능 지수를 갖추고 있다. EPC는 EPC7007을 통해 방사선 경화 제품군의 전압 범위를 200V로 확장했으며, 실리콘 대비 훨씬 작고, 비용이 저렴한 솔루션을 지원한다.”고 밝혔다.

EPC7007은 현재 엔지니어링 샘플이 제공되고 있으며, 2022년 12월 양산제품 출하를 위해 인증을 완료할 예정이다.