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삼성전자가 S램 가운데 최고 속도이며 최대 용량인 『72M DDR3 S램』을 개발했다. DDR3의 데이터 처리속도는 1.5Gbps로, 1초에 200자 원고지 48만장을 처리할 수 있는 성능이며, 이는 現存 S램 중에도 가장 빠르다. 삼성전자의 이번 개발의 이미는 첫째, 지금까지 S램의 저장용량 한계로 알려져 왔던 36M(메가비트)를 극복하며, S램 대용량화 시대를 열었다는 점이다. 둘째, 90나노 공정기술을 이용해 셀(Cell) 면적을 0.79㎛²로 구현함으로써, S램의 단점으로 지적되어 오던 집적도 문제를 깨끗하게 해소했다. 셋째, 나노급 반도체 제조를 위해서는 일반적으로 ArF(아르곤 플로라이드) 라는 공정을 사용해야 하기 때문에 추가 투자가 필요하지만, 삼성은 기존의 KrF(크립톤 플로라이드) 공정을 그대로 이용할 수 있도록 독자적인 셀 구조를 구현함으로써, 경쟁사와 비교할때 원가경쟁력을 배가했다. 이밖에도 삼성전자의 72M DDR3 S램은 1.2V 전원으로 동작할 수 있도록 설계돼 저전력 특성을 보유한 점, 10여건 이상의 관련 특허를 출원한 점 등이 강점이다. 이번 개발은 학술적으로도 세계적 공인을 받고 있는데, △02년 12월에는 삼성전자가 美 샌프란시스코에서 개최된 IEDM (International Electron Device Meeting) 반도체 학회에서 이번 제품의 설계 및 공정기술에 대해 발표한 바 있으며, △ISSCC (International Solid-State Circuits Conference)의 03년 최우수 논문으로 선정되어, 2월 정기총회에서 공식 발표될 예정이다. 현재 삼성전자는 36M DDR3 S램을 이미 생산중이며, 하반기부터 72M DDR3 S램의 양산도 본격화해, 시장 지배력을 더욱 강화할 계획이다. 삼성전자는 S램 세계시장에서 30% 이상의 M/S를 점유하며, 8년 연속 1위를 유지하고 있다. 참고로, 이번에 개발된 고속 S램 의 주요 수요처는 서버와 워크스테이션에서의 캐쉬(Cache) 메모리로 주로 사용된다.