EPC, 높은 전력밀도의 전력변환 및 라이다 애플리케이션을 위한 100V eGaN 전력 트랜지스터 출시

2021년 12월 11일

EPC2070은 전력 시스템 설계자들에게 초소형 칩 스케일 패키지 기반의 34A 펄스 전류를 지원하는 100V, 23mΩ 전력 트랜지스터를 제공한다. 이 새로운 디바이스는 60W, 48V 전력 컨버터와 라이다 및 LED 조명과 같은 애플리케이션에 매우 적합하다.

eGaN(enhancement-mode Gallium Nitride on Silicon) 전력 FET 및 IC 분야의 세계적인 선도기업인 EPC(Efficient Power Conversion Corporation)는 초소형 1.1mm2 풋프린트에서 최대 23mΩ의 RDS(on) 및 34A 펄스 출력 전류를 제공하는 100V GaN 트랜지스터, EPC2070을 출시했다.

더 높은 효율성과 전력밀도를 필요로 하는 애플리케이션은 더 이상 크기와 성능을 조정하지 않아도 된다. EPC2070은 실리콘 MOSFET에 필적하는 낮은 비용으로 GaN FET의 성능을 제공한다. 이러한 성능과 작은 크기 및 낮은 비용을 통해 컴퓨팅 및 통신 시스템을 위한 최대 60W의 48V 입력 전력 컨버터를 비롯해 카메라 모듈을 위해 VSCEL 레이저를 사용하는 ToF(Time of Flight) 모듈, 노트북, 스마트폰, LED 조명 및 클래스-D 오디오 등과 같은 애플리케이션에 이점을 제공할 수 있다.

EPC의 알렉스 리도우(Alex Lidow) CEO는 “고주파수에서 효율적으로 동작하는 eGaN 기반 전력 디바이스는 실리콘과의 성능 및 비용 격차를 계속 넓히고 있다. 100V, EPC2070은 설계자들에게 실리콘 MOSFET 보다 더 높은 전력밀도로 전환할 수 있는 기능을 제공하며, 5세대 제품군에 추가된 매우 뛰어난 제품이다.”고 밝혔다.

EPC90141 개발 보드는 EPC2070 eGaN FET를 기반으로 온보드 게이트 드라이브를 지원하며, 최대 디바이스 전압이 100V에 이르는 하프 브리지이다. 이 50.8mm x 50.8mm 보드는 최적의 스위칭 성능에 최적화되어 있으며, 모든 중요한 구성요소들을 포함하고 있어 EPC2070을 쉽게 평가할 수 있다.