EPC, 높은 전력밀도의 통신, 넷컴, 컴퓨팅 솔루션에 이상적인 40V eGaN FET 출시

2021년 10월 29일

EPC는 공간이 제한된 고성능 애플리케이션을 위해 MOSFET 보다 작고, 효율적이며, 안정적인 디바이스인 40V, 1.3mΩ의 EPC2067 eGaN FET를 출시했다.

eGaN(enhancement-mode Gallium Nitride on Silicon) 전력 FET 및 IC 분야의 세계적인 선도기업인 EPC(Efficient Power Conversion Corporation)는 EPC2067(평균 1.3mΩ, 40V) eGaN FET를 출시하고, 저전압 상용 질화갈륨 트랜지스터 제품군을 확장했다고 밝혔다.

EPC2067은 48V – 54V 입력 서버를 비롯해 높은 전력밀도의 성능 요건을 필요로 하는 까다로운 애플리케이션에 매우 적합하다. 낮은 게이트 전하와 제로 역 복구 손실을 통해 고효율로 1MHz 이상의 고주파수 동작이 가능하며, 소형의 9.3mm² 풋프린트로 최첨단 전력밀도를 제공한다.

EPC의 공동창업자겸 CEO인 알렉스 리도우(Alex Lidow)는 “EPC2067은 40V – 60V에서 12V에 이르는 LLC DC-DC 컨버터의 2차측 스위칭에 이상적이다. 이 40V 디바이스는 이전 세대 40V GaN FET에 비해 향상된 성능과 비용을 제공하며, 설계자가 효율과 전력밀도를 경제적으로 개선시킬 수 있다.”고 밝혔다.

개발 보드

EPC90138 개발 보드는 40V의 최대 디바이스 전압과 40A의 최대 출력 전류 및 게이트 드라이브를 탑재한 하프 브리지로, EPC2067 eGaN FET를 갖추고 있다. 50.8mm x 50.8mm 크기의 이 보드는 최적의 스위칭 성능을 제공하도록 설계되었으며, EPC2067을 쉽게 평가할 수 있는 모든 주요 부품들을 포함하고 있다.