EPC, 고밀도 통신, 넷콤, 컴퓨팅 솔루션에 이상적인 새로운 40V eGaN FET 출시

2021년 10월 06일

eGaN(enhancement-mode Gallium Nitride on Silicon) 전력 FET 및 IC 분야의 세계적인 선도기업인 EPC(Efficient Power Conversion Corporation)는 새로운 EPC2069(보통 1.6mΩ, 40V) eGaN FET를 출시하고, 저전압 상용 질화갈륨 트랜지스터의 성능을 향상시켰다.

EPC2069는 48V - 54V 입력 서버를 비롯해 높은 전력밀도의 까다로운 성능 요건을 필요로 하는 애플리케이션에 매우 적합하다. 낮은 게이트 전하와 제로 역회복 손실은 최상의 전력밀도를 위해 매우 작은 10.6mm² 풋프린트에서 고효율로 1MHz 이상의 고주파수 동작을 가능하게 한다. EPC2069는 500W ~ 2kW에 이르는 48V - 12V DC-DC 솔루션을 지원할 수 있으며, 98% 이상의 효율을 제공한다. 1차측과 2차측 모두 eGaN 디바이스를 사용하면, >4000W/in³의 최대 전력밀도를 달성할 수 있다.

EPC의 공동창립자이자 CEO인 알렉스 리도우(Alex Lidow)는 “EPC2069는 AI 및 게이밍과 같은 고밀도 컴퓨팅 애플리케이션에서 필요로 하는 새로운 48V – 54V 입력 서버에 널리 사용되는 40V – 60V에서 12V에 이르는 LLC DC-DC 컨버터의 2차측을 위해 완벽하게 설계되었다. 이 40V 디바이스는 이전 세대의 40V GaN FET에 비해 더 작은 크기와 감소된 기생 인덕턴스 및 더 낮은 비용으로 제공된다. 따라서 설계자들은 성능 향상은 물론, 비용 절감 효과를 얻을 수 있다.”고 밝혔다.

개발 보드

EPC90139 개발 보드는 40V 최대 디바이스 전압과 40A 최대 출력 전류의 온보드 게이트 드라이브를 갖춘 하프 브리지로, EPC2069 eGaN FET를 내장하고 있다. 이 보드는 50.8mm x 50.8mm 크기로 최적의 스위칭 성능을 위해 설계되었으며, EPC2069를 쉽게 평가할 수 있도록 모든 중요 부품들을 포함하고 있다.