반도체 전문 온라인 매거진 - 올포칩

미국 캘리포니아 몬터레이에서 개최된 'SPIE 포토마스크 테크놀로지 + 차세대 극자외선(EUV) 공정' 컨퍼런스에서 인텔 파운드리와 ASML이 하이 NA(High NA, 고개구율) EUV 리소그래피 기술의 대량 양산 적용 성과 및 마스크 생태계 확장 진전 상황을 공동 발표했다.

양사는 하이 NA EUV 기술이 초기 R&D 및 인증 단계를 넘어 대량 양산(HVM) 공정에 성공적으로 안착했다고 밝혔다. 인텔 파운드리는 코드명 '팬서 레이크(Panther Lake)'인 인텔 코어 Ultra 시리즈 3 프로세서의 일부 레이어 양산을 포함해 현재까지 100만 장 이상의 웨이퍼에 하이 NA 공정을 적용했다. 오버레이(중첩 정밀도)와 스루풋(처리량), 장비 가동률 모두 당초 목표치를 충족하고 있는 것으로 집계됐다. 특히 인텔 18A 공정의 일부 레이어에 하이 NA를 적용해 제작된 제품은 기존 0.33 NA(NXE 플랫폼) EUV 장비로 노광한 레이어 대비 대등하거나 이를 상회하는 성능을 지속 입증하고 있다.

기존 6인치 마스크 활용 및 6x12인치 대형 포맷으로의 진화

현재 팹리스 고객들은 기존 업계 표준인 6인치 마스크를 그대로 활용해 하이 NA의 혜택을 누릴 수 있다. 6인치 마스크 내 층별 배치(Floor-planning)를 활용하거나 인텔 파운드리의 '레티클 스티칭(Reticle Stitching)' 기술 및 공정 설계 키트(PDK) 솔루션을 결합하는 방식이다.

이와 함께 인텔 파운드리는 지난 3년간 ASML, 마스크 제조사, EDA 파트너, 소재 및 자동화 공급업체들과 협력해 6x12인치 대형 마스크 포맷 이니셔티브를 주도해 왔다. 양사는 단기적으로는 6인치 마스크 기반의 스티칭 기술을 지원하고, 장기적으로는 6x12인치 대형 마스크 생태계로의 전환을 지속적으로 추진할 방침이다.

양사 주요 경영진 발언

크리스토프 푸케(Christophe Fouquet) ASML 사장 겸 CEO는 "인텔 파운드리는 2024년 최초의 상용 EXE 시스템 도입부터 차세대 장비 검증, 첫 양산형 로직 제품 출하에 이르기까지 하이 NA 도입을 이끈 핵심 리더"라며 "6인치 마스크를 통한 실질적 가치 창출과 6x12인치 포맷으로의 이행을 위한 인텔의 혁신을 지속 지원할 것"이라고 전했다.

나가 찬드라세카란(Naga Chandrasekaran) 인텔 파운드리 공동 총괄 매니저(수석 부사장)는 "복잡한 AI 제품을 구현하기 위해서는 양산 즉시 적용 가능한 솔루션이 필수적"이라며 "스티칭 유무와 관계없이 6인치 마스크를 통한 하이 NA 적용을 단기적으로 지원하는 동시에 6x12인치 마스크로의 산업적 전환을 가속화해 나가겠다"고 강조했다.

한편 양사는 이번 컨퍼런스 세션을 통해 스티칭 기술 표준을 주제로 기술 발표를 진행한다. ASML의 얀 반 슈트(Jan van Schoot)가 '하프 필드 스티칭을 위한 스캐너 및 마스크 요구사항'을, 인텔 파운드리의 킴벌리 피어스(Kimberly Pierce)가 '양산을 위한 하이 NA EUV 스티칭'을 각각 발표할 예정이다.