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▲ 첨단 Smart STripFET F8 전력 기술로 최상의 정적 성능과 더 작은 다이 크기 구현

ST마이크로일렉트로닉스(STMicroelectronics, 이하 ST)가 최적의 전도 성능과 소형의 다이 크기를 구현하도록 개발된 새로운 Smart STripFET F8 기술을 적용해 R_DS(on)를 낮춘 새로운 MOSFET 시리즈를 출시했다. 이 디바이스는 자동차 제품의 전력 분배 및 배터리 관리 등 공간 제약이 있는 애플리케이션에 적합하다.

새로운 시리즈의 첫 번째 제품인 STL059N4S8AG는 0.59mΩ의 R_DS(on)을 갖춘 40V/420A N-채널 인핸스먼트-모드 MOSFET(enhancement-mode MOSFET)으로, PowerFLAT 5x6 패키지로 제공된다. 이 디바이스는 컴팩트한 크기로 PCB 공간을 절감해 소형 제어 모듈 설계를 간소화하며, 높은 열전도율과 효율적인 방열 성능으로 엄격한 신뢰성 목표를 달성하도록 지원한다. 또한, 최대 동작 온도가 175°C까지 확장됐다. STL059N4S8AG는 자동차 조립 공정에서 광학 검사가 용이한 웨터블 플랭크(Wettable Flanks) 기반 패키지로 제공되며, AEC-Q101 인증을 획득했다.

ST의 Smart STripFET F8 기술은 기존의 STripFET F8을 기반으로 개선된 트렌치 게이트 구조를 적용해 온 상태(on-state) 성능과 실리콘 면적 효율을 향상시켰다. 이 디바이스들은 전체 효율 개선의 핵심인 전도 손실을 최소화해야 하는 애플리케이션에 최적화되어 있다. 특히 고전류 전력 분배에 매우 적합하며, PCB 트레이스, 커넥터, 배선 보호를 위해 조정 가능한 회로 차단 기능을 제공하는 STi²Fuse VIPower 게이트 드라이버와 효과적으로 결합된다.

자동차 애플리케이션에서 Smart STripFET F8 MOSFET은 전력 손실을 줄이면서 배터리 에너지를 차량 내 전기 시스템에 보다 효율적으로 전달하여 주행 거리 연장에 기여한다. 셀 상태 모니터링, 밸런싱, 보호가 주요 기능인 배터리 관리 시스템(BMS)에서도 이 MOSFET의 낮은 R_DS(on)은 배터리 충전 및 방전 시 효율을 향상시킨다.