어플라이드의 EPIC 센터에 삼성전자 합류, 차세대 반도체 혁신 가속
2026년 02월 14일
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AI 인프라 확산과 고성능·저전력 칩 수요 급증으로 반도체 산업의 개발 방식이 근본적으로 재편되고 있다. 첨단 노드 스케일링과 차세대 메모리 아키텍처, 초고도 3D 집적 기술 구현을 위해서는 공정·장비·재료 혁신을 병렬적으로 추진하는 고속 협업 체계가 필수 요소로 부상하고 있다. 


어플라이드 머티어리얼즈(Applied Materials)는 삼성전자가 실리콘밸리에 설립 중인 50억 달러 규모의 EPIC 센터에 합류한다고 발표했다. EPIC(Equipment and Process Innovation and Commercialization) 센터는 반도체 공정 기술과 제조 장비 협력 연구개발을 위한 세계 최대 규모의 첨단 시설로, 미국 내 역대 최대 수준의 반도체 장비 R&D 투자 사례로 평가된다. 


이번 협력은 첨단 노드 스케일링과 차세대 메모리 구조, 초고도 3D 집적을 위한 재료공학 혁신을 공동으로 개발하는 데 초점을 맞춘다. 특히 첨단 패터닝과 식각, 증착 공정의 원자 수준 혁신을 통해 차세대 로직 및 메모리 반도체 구현을 가속화하는 것이 목표다. 


어플라이드는 AI 인프라 확대가 에너지 효율적 칩에 대한 전례 없는 수요를 촉발하고 있으며, 이에 대응하기 위해 제조 기술 실현 방식을 근본적으로 재설계해야 한다고 강조했다. 삼성전자의 EPIC 센터 합류는 이러한 협업 모델을 본격적으로 구현하는 출발점이라는 설명이다. 


삼성전자는 오랜 장비 협력 관계를 기반으로 EPIC 센터에서 기술 협력을 한층 심화할 계획이다. 양사는 초기 연구 단계부터 대규모 양산까지 이어지는 전 과정을 긴밀히 연결해 상용화까지의 시간을 획기적으로 단축한다는 전략이다. 


EPIC 센터의 핵심은 ‘고속 공동 혁신(High-velocity co-innovation)’이다. 기존 칩 개발이 순차적이고 분절화된 방식으로 진행됐다면, EPIC 모델은 병렬 개발과 민첩한 공정 전환을 통해 학습 주기를 단축한다. 이를 통해 수 노드 앞선 차세대 기술을 조기에 검증하고 생태계 전반의 접근을 앞당길 수 있다. 


첨단 클린룸을 기반으로 구축 중인 EPIC 센터는 2026년 가동을 목표로 하고 있다. 긴밀한 협업 구조와 신속한 실험·검증 체계를 통해 속도와 정확성, 효율성을 동시에 높이는 것이 설계의 핵심이다. 기업들은 이를 통해 제품 로드맵을 가속하고 상용화 성공률을 높이며, R&D 투자 대비 수익성을 극대화할 수 있을 것으로 기대된다. 


AI 시대 반도체 경쟁은 단순한 공정 미세화 수준을 넘어, 얼마나 빠르게 설계·공정·장비 혁신을 통합할 수 있는가의 문제로 확장되고 있다. 대규모 공동 R&D 인프라를 기반으로 한 협업 모델이 차세대 반도체 경쟁의 새로운 표준으로 자리잡고 있다.

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