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ACM 리서치(ACM Research, Inc.)는 Ultra C wb 세정 장비에 대한 주요 업그레이드를 발표했다. 새로운 개선 사항은 첨단 노드 제조 공정의 엄격한 기술적 요구사항을 충족하도록 설계되었다. 

업그레이드된 Ultra C wb는 ACM의 특허 출원중인 질소(N2) 버블링 기법을 통해 습식 식각(wet etching)의 균일성 저하 및 부산물 재증식 문제를 해결한다. 이들 문제는 첨단 노드 공정에서 높은 종횡비 트렌치 및 비아 구조에서 인산(phosphoric acid)을 사용하는 기존의 습식 벤치 공정에서 자주 발생한다. 질소 버블링 기법은 인산의 전달 효율을 향상시키고 습식 식각조 내의 온도, 농도, 유속의 균일성을 높인다. 습식 식각 공정의 향상된 질량 전달 효율은 웨이퍼 미세 구조 내 부산물 축적을 방지하여 재증식을 막는다. 

ACM의 회장 겸 최고경영자(CEO)인 데이비드 왕(David Wang) 박사는 “성능을 최우선으로 고려하여, ACM은 질소 버블링 기법을 통합해 Ultra C wb 장비를 개선함으로써 보다 향상된 결과를 제공하도록 했다”고 밝히고, “배치 처리(batch processing)는 습식 공정 분야에서 비용 효율성, 향상된 효율, 그리고 단일 웨이퍼 습식 세정에 비해 화학물질 사용 저감 등의 다양한 이점을 제공하는 중요한 요소”라고 말했다. 

업그레이드된 Ultra C wb는 중국 본토의 주요 팹에서 공정 검증을 통과했으며, 여러 차례 재구매 주문을 받았다. 현재 여러 고객사가 해당 장비를 평가 중이며, 올해 말까지 장비들을 추가로 공급하게 될 것으로 예상된다. 

업그레이드된 Ultra C wb 장비의 신규 기능 및 이점:

• 향상된 식각 균일성: 기존의 배치 공정과 비교해, Ultra C wb 플랫폼은 질소 버블링 기법을 적용해 웨이퍼 내 및 웨이퍼 간 습식 식각 균일성을 50% 이상 개선했다.
• 향상된 입자 제거 성능: Ultra C wb 플랫폼의 첨단 세정 기능은 첨단 노드 공정에서 특수 인산염 첨가제의 유기 잔류물 제거 성능이 입증되었다.
• 확장된 공정 능력: 업그레이드된 벤치 모듈은 첨단 노드 공정 3개 레이어에 적합하며, 여기에는 적층 실리콘 질화물 제거, 채널 홀 폴리실리콘 식각 백, 게이트 라인 텅스텐 리세스 등이 포함된다. 이 장비는 인산, H4 식각제, 수산화 테트라 메틸 암모늄(TMAH), SC1 및 실리콘 게르마늄(SiGe) 식각 솔루션 등 다양한 화학 용액들과 함께 사용이 가능하다. 현재 추가적인 레이어와 응용 사례들이 고객 사이트에서 개발 중이다.
• 독립적인 지적 재산권(IP) 설계: 질소 버블링의 핵심 부품과 기술은 독립적인 지적 재산권에 의해 보호된다. 독자적인 N2 버블링 설계는 우수한 균일성을 갖춘 대형 버블을 생성하며, 버블 밀도는 정밀 제어가 가능하다.