인피니언, 부트스트랩 다이오드를 내장한 650V SOI EiceDRIVER 출시
2021년 04월 14일
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인피니언 테크놀로지스 (코리아 대표이사 이승수)는 새로운 EiceDRIVER 650V 하프브리지 및 상측/하측 게이트 드라이버를 출시한다고 밝혔다. 이들 제품은 인피니언 고유의 SOI (silicon-on-insulator) 기술을 기반으로 하며, 네거티브 트랜션트 전압 내성이 뛰어나고, 부트스트랩 다이오드를 모노리딕 방식으로 통합하였다. 따라서 BOM을 줄이고, MOSFET과 IGBT를 사용하여 컴팩트한 폼팩터로 견고한 디자인을 가능하게 한다. 이 FLS (fast level-shift) 제품군은 SMPS, UPS, 산업용 드라이브, 임베디드 인버터, 가전기기, 전동 공구, 팬과 펌프의 모터 제어 애플리케이션에 적합하다. 

 

EiceDRIVER 2ED2110S06M은 2.5A 고전류 드라이버이고, EiceDRIVER 2ED2101/03/04는 0.7A 저전류 드라이버이다. 저전류 드라이버는 DSO-8 패키지로 제공되고, 2.5A 드라이버는 DSO-16W 패키지로 제공된다. 90ns 전달 지연과 타이트한 10ns 최대 지연 매칭으로 기존 모터 제어 애플리케이션 뿐만 아니라 500kHz 대의 고주파수 스위칭을 지원한다. 2ED2110S06M은 셧다운 기능과 개별적 로직 및 전원 접지를 특징으로 한다. 내장된 부트스트랩 다이오드는 36Ω의 정격 온저항으로 매우 빠른 역회복 특성을 제공한다. 

 

-100V의 반복적인 300ns 펄스에 대한 네거티브 트랜션트 내성은 매우 강건하고 신뢰할 수 있는 동작을 보장한다. 크로스 컨덕션 (cross-conduction) 로직을 사용한 데드 타임 기능과 상하측 전원에 대한 독립적인 게이트 저전압 록아웃 (UVLO) 기능은 안전한 동작을 달성한다. EiceDRIVER 2ED2110S06M과 2ED2101/03/04 S06F는 이전 세대 제품인 IR(S)2110/2113S와 IR(S)2101/03/04S 디바이스를 바로 대체할 수 있다.

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