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ACM 리서치(ACM Research, Inc.)는 Ultra C 세정 시스템 제품군에 새로 추가된 Ultra C VI 싱글 웨이퍼 장비를 공개했다. Ultra C VI는 DRAM(Dynamic Random-Access Memory)과 3D NAND 플래시 디바이스의 높은 세정 처리량을 목표로 출시 시기를 앞당길 수 있도록 돕는다. ACM의 입증된 다중 챔버 기술을 이용해 제작된 이 새로운 장비는 18개 챔버가 특징으로, 기존의 Ultra C V 시스템의 12개 챔버와 처리량에서 50% 확장되었지만 장비가 차지하는 공간은 기존 생산 라인에 통합할 수 있도록 동일한 폭에 길이만 약간 크게 제작되었다. 

ACM의 사장이자 CEO인 데이비드 왕(David Wang)은 “메모리 디바이스의 복잡성은 증가하고 있지만 여전히 엄격한 생산 처리량 요구사항들을 갖고 있다"며 "추가적인 세정 챔버를 통해 첨단 메모리 디바이스 제조업체들은 보다 긴 공정 레시피와 보다 정교한 건조 기술을 구현하는 동시에 생산 주기 시간을 유지하거나 단축할 수 있다. 18 챔버 구성은 이러한 어플리케이션 적용에 최적이다. 챔버 수가 더 많은 다른 시스템과 비교할 때, Ultra C VI는 챔버 수가 많을 경우 발생할 수 있는 장비 다운 사고 발생에 대한 부담을 줄이면서 시간당 웨이퍼 처리 요구량과 공장 자동화 매칭 사이에 더 나은 균형을 제공한다"고 밝혔다. 

Ultra C VI는 1y 노드 이상에 이르는 첨단 D램 디바이스와 128개 이상의 적층 이상의 첨단 3D 낸드 기기에서 싱글 웨이퍼 세정을 담당한다. BEOL 폴리머 제거, 텅스텐 또는 구리 루프 사후 세정, 선 증착 세정, 사후 식각, 사후 화학적 기계평면화(CMP) 세정, 심층/비아(via) 세정 그리고 RCA 표준 세정 등과 같은 응용 및 관련 화학 물질에 따라 다양한 반도체 전공정(FEOL) 및 후공정(BEOL)에 사용할 수 있다. 

세정 중에는 표준 세척제(SC1, SC2), 불화수소산(HF), 오존화 탈이온수(DI-O3), 희석된 과산화황 혼합제(DSP, DSP+), 용제 세척제 또는 기타 공정 화학 물질을 포함하여 여러 화학 조합을 사용할 수 있다. 최대 두 가지 화학물질을 회수해 재사용할 수 있으므로 소모품 비용과 전반적인 유지 비용을 줄이는 데 도움이 된다. Ultra C VI는 이중의 유체 N2 스프레이 세정 또는 ACM의 독점적인 SAPS 및 TEBO 메가소닉 세정 기술과 같은 선택적 물리적 보조 세정 방법을 수용할 수 있다. 가로 세로 비율이 높은 패턴 웨이퍼에도 적용할 수 있는 이소프로필알코올(IPA) 건조 기능도 제공한다. 더욱이 ACM의 기존 장비의 폭과 동일한 사이즈로 FAB의 활용도를 향상시키고 나아가 유지비용 절감에 도움이 된다.