실리콘 전력 MOSFET 대비 질화갈륨 디바이스의 탁월한 견고성 입증 - EPC, 11번째 신뢰성 보고서 공개
2020년 04월 06일
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EPC의 11단계 신뢰성 보고서는 기존 10개의 보고서에서 공개된 내용을 기반으로 새로운 기술내용이 추가되었다. EPC는 이 보고서에서 1,230억 시간의 질화갈륨 디바이스의 현장 경험을 바탕으로 실리콘 전력 디바이스 대비 탁월한 견고성을 입증했다.


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EPC(Efficient Power Conversion)는 현장에서 탁월한 신뢰성을 달성하기 위해 사용된 전략을 문서화한 11단계 신뢰성 보고서를 발표했다. 이 전략은 자율주행 차량을 위한 라이다(Lidar)와 LTE 기지국, 자동차 전조등 및 위성 등과 같은 까다로운 애플리케이션을 위한 보다 강력한 제품을 구현하기 위해 다양한 조건에서 진행된 디바이스 결함 테스트를 기반으로 하고 있다.

결함이 발생할 때까지 디바이스를 테스트하면, 데이터시트에서 제시된 허용치와 애플리케이션 제품 간의 마진 규모를 파악할 수 있다. 보다 중요한 것은 디바이스의 본질적인 결함 메커니즘을 식별할 수 있다는 점이다. 이러한 본질적인 결함 메커니즘에 대한 지식은 결함의 근본 원인을 판단하는데 사용된다. 시간이나 온도, 전기적 또는 기계적 스트레스에 따른 디바이스 동작에 대한 정보는 보다 일반적인 동작 조건 하에서 제품의 안전한 동작 수명을 정확하게 사용자에게 제시할 수 있다.

이 보고서는 각기 다른 결함 및 메커니즘을 다루는 7개의 영역으로 구성되어 있다.
  섹션 1: eGaN 디바이스의 게이트 전극에 영향을 미치는 본질적인 결함 메커니즘
  섹션 2: 동적 RDS(on)에 기반한 본질적 메커니즘
  섹션 3: 안전 동작 영역(SOA: Safe Operating Area)
  섹션 4: 단락회로 조건에서 파괴되는 디바이스 테스트
  섹션 5: 장기적인 라이다 펄스 스트레스 조건에서 신뢰성을 평가하기 위한 맞춤형 테스트
  섹션 6: 기계적 힘 스트레스에 대한 테스트
  섹션 7: 현장 신뢰성

EPC의 공동창업자겸 CEO인 알렉스 리도우(Alex Lidow) 박사는 “eGaN 디바이스는 10년 이상 대량생산이 이뤄지고 있으며, 실험실 테스트는 물론, 수많은 고객 애플리케이션에서 매우 높은 신뢰성이 입증되었다. EPC의 11번째 신뢰성 보고서는 10년 동안 5세대 기술에 걸쳐 누적된 수백만 개의 디바이스에 대한 경험을 바탕으로 하고 있다. 이러한 신뢰성 테스트는 광범위한 스트레스 조건 하에서 GaN 디바이스의 동작을 이해할 수 있도록 지속적으로 수행되고 있다.”고 밝혔다.


또한 리도우 박사는 “신뢰성 연구 결과에 따르면, GaN은 빠른 속도로 지속적인 발전이 이뤄지고 있는 매우 강력한 기술이다. EPC는 GaN 디바이스에 엄격한 신뢰성 표준을 적용하고, 전력변환 업계와 이 결과를 공유하기 위해 노력하고 있다.”고 덧붙였다.

그래픽 / 영상
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