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EPC는 이모빌리티 산업의 고밀도 컴퓨팅 애플리케이션과 모터 드라이브에 사용되는 48V DC-DC 변환 설계를 위한 80V, 12.5A의 전력 스테이지 IC를 출시했다.

EPC2152는 EPC의 독보적인 GaN IC 기술을 이용한 단일 칩 드라이버 펄스 eGaN® FET 하프-브리지 전력 스테이지 IC이다. 이 IC는 하프-브리지로 구성된 eGaN 출력 FET와 입력 로직 인터페이스, 레벨 시프팅, 부트 스트랩 충전 및 게이트 드라이브 버퍼 회로를 모놀리식 칩에 모두 통합했다. 이를 통해 3.9mm x 2.6mm x 0.63mm 크기에 불과한 칩 스케일 LGA 폼팩터 디바이스를 구현했다.

EPC2152 ePowerTM 스테이지는 1MHz 스위칭 주파수의 48V ~ 12V 벅 컨버터에서 동작할 때, 동급 다중 칩 디스크리트 구현 방식에 비해 PCB 크기를 33%까지 줄이고, 피크 효율은 96% 이상을 달성할 수 있다.

EPC2152는 칩 스케일 패키지(CSP) 및 멀티칩 QFM(Quad Flat Module)으로 제공되는 광범위한 통합 전력 스테이지 제품군 중 첫 번째 제품이다. 이 제품군은 1년 안에 전력 스테이지당 15A ~ 30A의 높은 전류는 물론, 최대 3MHz ~ 5MHz의 높은 주파수 범위에서 동작할 수 있는 제품들이 추가로 공급될 예정이다.

이 제품군은 설계자가 GaN 기술로 구현할 수 있는 탁월한 성능 향상을 손쉽게 달성할 수 있도록 해준다. 단일 칩 기반의 이 IC는 설계 및 레이아웃, 조립을 매우 용이하게 수행할 수 있으며, PCB 공간을 절감하고, 효율을 향상시킬 수 있다.

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EPC의 공동설립자이자 CEO인 알렉스 리도우(Alex Liow)는 “디스크리트 전력 트랜지스터는 점차 그 기능을 다하고 있다. 통합 ‘GaN-on-Silicon’은 엔지니어링 요구사항을 대폭 줄이면서도 소형 풋프린트로 보다 뛰어난 성능을 제공한다.”며, “이 새로운 통합 전력 스테이지 제품군은 GaN 전력변환 기술을 한 단계 발전시킨 새로운 차원의 솔루션으로, 디스크리트 디바이스는 물론, 보다 복잡한 솔루션까지 통합하고 있어 실리콘 솔루션의 성능을 뛰어넘는 인서킷 성능을 제공하고, 전력 시스템 엔지니어들이 보다 손쉽게 설계를 구현할 수 있도록 해준다.”고 밝혔다.

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EPC90120 개발 보드는 최대 80V의 디바이스 전압과 최대 12.5A의 출력전류를 제공하는 하프-브리지, 고집적 ePower 스테이지 IC인 EPC2152를 갖추고 있다. 크기가 2” x 2”(50.8mm x 50.8mm)에 불과한 이 보드는 최적의 스위칭 성능을 위해 설계되었으며, EPC2152 고집적 ePower 스테이지를 손쉽게 평가할 수 있도록 모든 중요 부품들을 포함하고 있다.